Диод полупроводниковый — полупроводниковый прибор, содержащий один р—п-переход. На рисунке приведены условное изображение полупроводникового диода и его вольт-амперная характеристика. Действие полупроводникового диода основано на процессах, происходящих при контакте двух полупроводников различных типов проводимости.
Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ, р—п-переход в диодах создается путем вплавления одного вещества в поверхность другого. Например, индий вплавляется в одну из поверхностей германия, обладающего проводимостью д-типа (см. Донор).
Вследствие диффузии атомов индия вглубь монокристалла германия у его поверхности создается область с проводимостью р-типа (см. Акцептор). Между двумя полупроводниками разных типов создается р—гс-переход. В таком полупроводниковом диоде германий служит катодом, а индий анодом.
Полупроводниковые диоды обладают рядом преимуществ по сравнению с вакуумными диодами: они компактнее, экономичнее (не требуют для своей работы источников высокого напряжения), обладают высокой надежностью. Однако они могут работать лишь в ограниченном интервале температур (от -70 до 125°с).